快速热处理对PECVD碳化硅薄膜性能的影响

问明亮; 周陈菊; 杨成林; 梁萍兰; 席珍强

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快速热处理对PECVD碳化硅薄膜性能的影响

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使用PECVD在p型单晶硅衬底上沉积非晶碳化硅薄膜,研究快速热处理对薄膜的钝化性能和光学性能的影响。结果显示:随着热处理温度从450℃升高到850℃,薄膜厚度迅速减小;在650℃及以下温度进行热处理后折射率基本不变,但温度继续上升折射率迅速上升;同时热处理对薄膜的厚度和折射率的影响能在很短时间内完成,使薄膜迅速致密化。在低于750℃热处理时,衬底少子寿命增加,在热处理温度高于750℃后少子寿命急剧下降。碳化硅薄膜的反射率在快速热处理之后基本不变。

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来源
《浙江理工大学学报：自然科学版》 |2011年第4期|571-574|共4页
作者
问明亮; 周陈菊; 杨成林; 梁萍兰; 席珍强;
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作者单位

浙江理工大学材料工程中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TM914.41;
关键词
碳化硅薄膜; 快速热处理; 减反射; 少子寿命;

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