ECR微波等离子体CVD制备a—Si:H薄膜

万英超; 林玉瓶

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电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积(ECRPCVD)应用于制备a—Si:H薄膜,其沉积速率大于射频等离子体化学气相沉积(RFPCVD),而且在基体不加温情况下也能获得比较满意的特性。根据红外吸收谱分析,并经伸缩振动模吸收带的积分计算,得出样品的含氢量为20—30％,光学带隙E。为1.80eV左右;暗电导率小于10^(-10)s/cm。倘若基体适当加温,a—Si:H膜的性能将更为优良。

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来源
《浙江大学学报：工学版》 |1992年第6期|688-695|共8页
作者
万英超; 林玉瓶;
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作者单位

浙江大学信电系;

浙江大学半导体材料研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
微波等离子体; CVD; a-Si:H膜; 薄膜;

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