基于FPGA的高效率SDRAM读写双口控制器设计

孙佳郡; 刘子龙; 何明军

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基于FPGA的高效率SDRAM读写双口控制器设计

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主要介绍了SDRAM的工作特性与控制时序特点,在此分析的基础上利用现场可编程门整列(FPGA)实现一种“高效”SDRAM控制器的方法——切换L-Bank进行读写操作,并配置两片RAM将单片SDRAM设计成“乒乓”RAM的双口接口,并由此引入仲裁机制,从而大大提高数据吞吐量.FPGA、SDRAM分别采用ALTER公司的EP2C8Q208C芯片和HY57V2562GTR-57C芯片,并基于Verilog HDL语言在软件QuartusⅡ9.0上完成仿真.

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来源
《制造业自动化》 |2013年第20期|115-117|共3页
作者
孙佳郡; 刘子龙; 何明军;
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作者单位

上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;

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正文语种 chi
中图分类运算器和控制器（CPU）;
关键词
FPGA; SDRAM; Verilog;

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