光加热悬浮区熔法制备(Mo_(0.85) Nb_(0.15))Si_2单相单晶体

姜艳; 朱鸥; 张澜庭; 郁金星; 吴建生

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采用光加热悬浮区熔法制备了(Mo_(0.85) Nb_(0.15))Si_2单晶体,研究了化学成分和生长速度对获得C40结构单晶体的影响.结果表明:采用此法可制备出表面无裂纹的(Mo_(0.85) Nb_(0.15))Si_2单晶体,其尺寸可达φ8 mm×90 mm,晶体的生长面接近(0001)面,生长形态符合布拉维法则、周期键链(PBC)理论和小面生长理论.

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来源
《机械工程材料》 |2010年第1期|38-40,44|共4页
作者
姜艳; 朱鸥; 张澜庭; 郁金星; 吴建生;
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作者单位

上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200240;

上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200240;

上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200240;

上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200240;

上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200240;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TG146.412;
关键词
悬浮区熔; 单相; 单晶体; (Mo_(0.85); Nb_(0.15))Si_2; 光加热;

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