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季鑫; 杨德仁; 答建成;
上海工程技术大学基础教学学院,上海201620;
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027;
上海工程技术大学材料工程学院,上海201620;
硅基单结太阳能电池; 制备方法; 单晶硅; 多晶硅; 非晶硅; 缺陷; 力学性能;
机译:通过氰化物处理钝化Si和Si / SiO_2界面态中的缺陷态:改善了针结非晶硅和晶体硅基金属氧化物半导体结太阳能电池的特性
机译:完全通过HWCVD在带纹理的氧化锌衬底上制备的微晶单结和双结硅基太阳能电池
机译:i层的铟含量,厚度和缺陷密度对p-i-n InGaN单同质结太阳能电池性能影响的理论模拟
机译:单结和单双结非晶硅合金太阳能电池的1.00 MeV质子辐射抗性研究
机译:最小化Perovskite太阳能电池中的光学和电力损失:从单结到先进的串联设计=涉及太阳能电池的光学和电气损失最小化
机译:通过应用包含Eu掺杂和Yb / Er掺杂的磷光体的光谱转换层来增强GaAs单结太阳能电池的光伏性能
机译:完全通过HWCVD在纹理化的氧化锌衬底上制备的微晶单结和双结硅基太阳能电池
机译:富含缺陷外延对晶体硅/非晶硅异质结太阳能电池的影响及低迁移率层用于提高性能。
机译:背面接触单异质结型太阳能电池的制造方法及背面接触单异质结型太阳能电池
机译:硅基质的制造方法,硅基质,用于太阳能电池的硅基质,制造太阳能电池元素,太阳能电池元素和太阳能电池的方法
机译:太阳能电池用结晶硅基板的制造方法,结晶硅基太阳能电池的制造方法以及结晶硅基太阳能电池模块的制造方法
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