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基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展

         

摘要

基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视.介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展.重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法.其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46%,也是目前实验室最高效率.此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望.

著录项

  • 来源
    《材料导报》 |2015年第7期|124-128,149|共6页
  • 作者单位

    华北电力大学可再生能源学院,新能源电力国家重点实验室,北京102206;

    华北电力大学可再生能源学院,新能源电力国家重点实验室,北京102206;

    云南师范大学太阳能研究所,昆明650092;

    中国科学院北京纳米能源与系统研究所,北京100083;

    华北电力大学可再生能源学院,新能源电力国家重点实验室,北京102206;

    华北电力大学可再生能源学院,新能源电力国家重点实验室,北京102206;

    石家庄铁道大学数理系,石家庄050041;

    华北电力大学可再生能源学院,新能源电力国家重点实验室,北京102206;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 太阳能电池;
  • 关键词

    Ⅲ-Ⅴ族化合物; 高效多结太阳电池; 半导体键合; 晶格失配;

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