磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究

段理; 樊小勇; 于晓晨; 倪磊

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磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究

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利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜,通过改变制备条件生长了一系列样品,样品退火后呈现P型导电特性.测量了样品的结构特性、光学性质和电学性质,实验表明薄膜厚度与淀积时间、溅射功率分别呈近似线性关系;薄膜晶体质量随溅射功率、背景气压的增加而降低;退火过程是银元素形成受主的重要环节,且退火能有效提高薄膜晶体质量,改善薄膜的光学性质和电学性质.分析了这些影响的机理和来源.

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来源
《材料导报》 |2010年第24期|13-16|共4页
作者
段理; 樊小勇; 于晓晨; 倪磊;
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作者单位

长安大学材料科学与工程学院,西安710064;

长安大学高性能路面国际合作研究中心,西安710064;

长安大学材料科学与工程学院,西安710064;

长安大学高性能路面国际合作研究中心,西安710064;

长安大学材料科学与工程学院,西安710064;

长安大学高性能路面国际合作研究中心,西安710064;

长安大学材料科学与工程学院,西安710064;

长安大学高性能路面国际合作研究中心,西安710064;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
溅射; 银掺杂; p型ZnO薄膜; 光电性能;

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