溅射生长Ge/Si(100)2×1薄膜的分子动力学研究

陈立桥; 周少白; 杨瑞东; 杨宇

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溅射生长Ge/Si(100)2×1薄膜的分子动力学研究

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以Si(100)2×1为基底,对不同入射角度、基底温度及入射能量时生长锗薄膜进行了分子动力学模拟.运用双体分布函数与原子直观构型及原子轨迹法对结果进行了分析讨论.模拟表明,以上3种因素对薄膜微结构都有一定影响,但基底温度的影响最重要;重构基底的二聚体键打开对实现锗外延生长很重要,而二聚体键断开过程主要发生在下一层锗入射阶段,因而下一层锗入射阶段是上一层锗外延晶化的关键阶段.

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来源
《材料导报》 |2007年第3期|126-129|共4页
作者
陈立桥; 周少白; 杨瑞东; 杨宇;
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作者单位

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

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正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
硅锗; 分子动力学; 薄膜生长;

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