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过渡层ZrO2对不同沉积厚度TiO2薄膜结构的影响

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摘要

TiO2作为高介电常数材料已被广泛研究.为了防止TiO2与Si基底发生反应,在Si与TiO2之间加入与TiI2结构相似热稳定性好的ZrO2作为过渡层.改变TiO2薄膜厚度,并在900℃对薄膜进行1h退火处理.通过XRD分析显示,随着TiO2厚度减小,各衍射峰强度逐渐降低,但各峰位及其相对强度无明显变化.通过SEM可以发现,热处理前各薄膜均无裂纹和孔洞.热处理后,TiO2厚度为150m及80nm的薄膜平整光滑无裂纹孔洞,晶粒排列致密晶界清晰,当TiO2厚度降为30nm时,薄膜仍平整光滑,只在晶界上出现因热处理而产生的缩孔.

著录项

来源
《材料导报》 |2007年第8期|146-147|共2页
作者
杜玉军; 杨陈; 惠迎雪;
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作者单位

西安工业大学光电学院,西安,710032;

西北工业大学材料学院,西安,710072;

西安工业大学光电学院,西安,710032;

西北工业大学材料学院,西安,710072;

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正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
TiO2薄膜; ZrO2过渡层; 电子束蒸发; 薄膜厚度; 薄膜结构;

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