沉积温度和退火处理对Ba0.5Sr0.5TiO3介电性能的影响

楼均辉; 林明通; 陈国荣; 杨云霞; 肖田; 陈晨曦

首页> 中文期刊> 《材料导报》 >沉积温度和退火处理对Ba0.5Sr0.5TiO3介电性能的影响

沉积温度和退火处理对Ba0.5Sr0.5TiO3介电性能的影响

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用射频磁控溅射法在ITO/Corning1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700nm的Ba0.5-Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响。实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降。对于在500℃下沉积的薄膜在550~700℃、1.8×10-2Pa氧气氛中进行30min退火处理,结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善,其它参数都劣化;在650℃和700℃下热处理介电常数显著增加,其它性能都变差。

著录项

来源
《材料导报》 |2006年第s1期|351-353|共3页
作者
楼均辉; 林明通; 陈国荣; 杨云霞; 肖田; 陈晨曦;
展开▼
作者单位

1. 上海广电电子股份有限公司 2. 华东理工大学材料科学与工程学院;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TB383.2;
关键词
Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜; 介电性能; 沉积温度; 退火处理;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 沉积温度和退火处理对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3介电性能的影响 [J] . 楼均辉 ,林明通 ,陈国荣 . 材料导报 . 2006,第F05期
2. 热处理温度对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜结构与性能影响的研究 [J] . 于乐海 ,付兴华 . 现代技术陶瓷 . 2006,第003期
3. Mn掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电性能的影响 [J] . 韦其红 ,付兴华 ,侯文萍 . 济南大学学报（自然科学版） . 2006,第003期
4. 退火温度对BZT薄膜介电性能的影响研究 [J] . 邓小玲 ,郭冬娇 ,蔡苇 . 材料保护 . 2013,第S1期
5. 退火温度对ZrO2高介电薄膜电学性能的影响 [J] . 郑丹 ,丁驰竹 . 电子元件与材料 . 2012,第010期
6. 溅射工艺参数对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜沉积速率和介电性能的影响 [C] . 林明通 ,上海广电电子股份有限公司 ,肖田 . 2005’全国真空冶金与表面工程学术会议 . 2005
7. 退火工艺对溅射沉积PZT薄膜组织结构和性能的影响 [A] . 郑慧玲 . 2011

沉积温度和退火处理对Ba0.5Sr0.5TiO3介电性能的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅