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张化福; 祁康成; 吴健;
电子科技大学光电信息学院;
成都610054;
氮化硅薄膜; 应用; 制备方法; 大规模集成电路; 半导体器件; 光电性能; 耐压性能; 机械性能; 常用方法; 主要性能; 光电子; 微电子;
机译:准分子激光辐照结晶的高性能底部栅极多晶硅多晶硅-氮化物-氮化物-氧化硅-硅薄膜晶体管,用于两位非易失性存储应用
机译:氧化铝,二氧化钛,二氧化硅,氮化铝和氮化硅薄膜的中红外光学性质
机译:四(二甲基氨基)钛与肼作为共反应物的氮化钛和氮化硅氮化硅薄膜的化学气相沉积。
机译:用于嵌入式纳米磁器件制造的氮化硅薄膜的纳米级反应离子刻蚀
机译:嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
机译:通过溶液技术制备的氧化铈的物理性质和电导率依赖于烧结陶瓷的氧分压,制备了具有热量的氧化铈的物理性质的制备方法,制备方法和制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法
机译:mercuric 5-硝基四唑,可能替代澳大利亚军械中的叠氮化铅。第1部分:制备方法的评估
机译:氮化硅薄膜沉积方法及氮化硅薄膜沉积装置
机译:氮化硅薄膜的形成方法以及使用该氮化硅薄膜的薄膜晶体管的制造方法
机译:前述的方法包括利用形成硅薄膜的方法,通过氧化形成的硅薄膜或用氧气或氮气氮化来形成硅薄膜。
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