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吕菲; 田原; 宋晶; 杨春颖; 刘雪松;
中国电子科技集团公司第四十六研究所;
锗单晶片; 化学腐蚀; 机械强度; 粗糙度;
机译:薄膜应力导致晶片曲率对化学机械抛光工艺的影响
机译:抛光参数对LiTaO_3晶片化学机械抛光工艺的影响
机译:半导体晶片的化学机械抛光:预测晶片表面形状的表面元素建模和仿真
机译:光电效应加速了砷化镓晶片上的电化学腐蚀和纳米压印工艺
机译:用于高芯片强度的湿化学硅晶片细化工艺
机译:用alznmg基材开发高强度抗应力腐蚀合金。第二部分。化学成分对高强度alznmgcu合金人工时效硬化和应力腐蚀的影响
机译:包含特定成分的CMP(化学机械抛光)成分的化学锗元素制造工艺,该工艺包括元素锗和/或Si 1-x sub> Ge x sub>材料的化学机械抛光有机化合物
机译:无缝钢管,高机械强度,良好的硬度,良好的抗金属断裂性。受热(HAZ)影响的基础和区域以及良好的耐腐蚀性及其制造工艺
机译:排水管密封,机械强度高且耐化学腐蚀的工艺
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