氮化镓晶片的化学机械抛光工艺

钮市伟; 陈瑶; 王永光; 寇青明; 朱玉广

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氮化镓晶片的化学机械抛光工艺

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研究了抛光工艺参数对氮化镓(GaN)化学机械抛光(CMP)表面形貌和材料去除率的影响.通过精密分析天平和原子力显微镜对其材料去除率和表面形貌进行分析,采用单因素及正交实验法探究压力、抛光盘转速和氧化剂浓度对GaN材料去除率和表面形貌的影响.结果表明:在下压力为14.1×104 Pa、抛光盘转速为75 r/min、H2 O2浓度为0.8％、SiO2磨粒为30％、抛光液流量为20 mL/min、抛光时间为15 min的条件下,GaN晶片表面材料去除率最大达到103.98 nm/h,表面粗糙度最低为0.334 nm.可见,在优化后的工艺参数下采用化学机械抛光,可同时获得较高的材料去除率和高质量的GaN表面.

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来源
《科学技术与工程》 |2020年第19期|7639-7643|共5页
作者
钮市伟; 陈瑶; 王永光; 寇青明; 朱玉广;
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作者单位

苏州大学机电工程学院苏州215000;

苏州大学机电工程学院苏州215000;

苏州大学机电工程学院苏州215000;

苏州大学机电工程学院苏州215000;

苏州大学机电工程学院苏州215000;

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正文语种 chi
中图分类磨削加工工艺;
关键词
GaN; 化学机械抛光; 材料去除率; 表面粗糙度; 正交法;

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