AlN晶体PVT法生长用坩埚材料技术

王嘉彬; 陈红梅; 袁超

首页> 中文期刊> 《材料导报》 >AlN晶体PVT法生长用坩埚材料技术

AlN晶体PVT法生长用坩埚材料技术

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有熔点高、临界击穿场强高、高温热稳定性好和耐腐蚀性优等特点,是极其重要的第三代半导体材料。物理气相传输(PVT)法作为被广泛采用的AlN晶体生长技术,其工艺条件与环境要求极为苛刻。耐高温、抗腐蚀、长寿命坩埚已成为大尺寸、高质量AlN晶体生长的技术难题之一。本文介绍AlN晶体PVT法生长的基本原理与过程,分析晶体生长对坩埚材料的性能要求,重点综述了TaC坩埚和TaC涂层石墨坩埚的制备技术。

著录项

来源
《材料导报》 |2021年第s02期|118-120|共4页
作者
王嘉彬; 陈红梅; 袁超;
展开▼
作者单位

湖南人文科技学院;

精细陶瓷与粉体材料湖南省重点实验室;

娄底417000;

湖南涉外经济学院;

长沙410205;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TQ174.758.1;
关键词
AlN晶体; PVT法; 坩埚材料;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. PVT法钨坩埚系统中自发生长自支撑AlN单晶及其表征分析 [J] . 龚建超 ,朱如忠 ,刘欢 . 人工晶体学报 . 2020,第7期
2. AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究 [J] . 覃佐燕 ,庄志贤 ,武红磊 . 人工晶体学报 . 2018,第4期
3. PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战 [J] . 付丹扬 ,龚建超 ,雷丹 . 人工晶体学报 . 2020,第7期
4. PVT法生长大直径SiC晶体粉源的热特性及对生长的影响 [J] . 张群社 ,陈治明 ,李留臣 . 半导体学报：英文版 . 2007,第1期
5. 镁铝合金直接燃烧法合成AlN晶体镁铝合金直接燃烧法合成AlN晶体 [J] . 谢晓 ,隋颖 ,黄晓昱 . 无机材料学报 . 2019,第004期
6. PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析 [C] . 董志远 ,赵有文 ,杨俊 . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. PVT法生长AlN晶体及其性质研究 [A] . 王国栋 . 2020

AlN晶体PVT法生长用坩埚材料技术

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅