偏压对高功率脉冲磁控溅射DLC膜层结构及性能的影响

林松盛; 杨建成; 高迪; 苏一凡; 许伟; 郭朝乾; 李洪; 石倩; 韦春贝; 代明江

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cqvip:采用高功率脉冲磁控溅射技术制备DLC膜层,研究了偏压的变化对膜层结构及主要力学性能的影响.利用扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱仪、X射线光电子能谱仪、纳米压入仪、划痕仪和磨擦磨损试验仪分析检测了DLC膜结构与性能.结果表明:偏压的提高,有利于改善DLC膜的表面光洁度及致密性,DLC膜表面均方根粗糙度R q由不施加偏压时的5.39 nm降低至偏压为-350V的0.97 nm;致密性的提高使沉积速率略有下降,膜层厚度减小.偏压的增加,DLC膜内部sp 3含量先增加后减小趋势,在偏压为-250 V时,DLC膜中sp 3含量最高.偏压的增大,DLC膜的硬度、杨氏模量和摩擦磨损等主要力学性能均呈先增大后减小的趋势,并在偏压为-250 V时达到最高值,与微观结构变化趋势相吻合.

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来源
《材料研究与应用》 |2020年第1期|1-8|共8页
作者
林松盛; 杨建成; 高迪; 苏一凡; 许伟; 郭朝乾; 李洪; 石倩; 韦春贝; 代明江;
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作者单位

广东省新材料研究所现代材料表面工程技术国家工程实验室广东省现代表面工程技术重点实验室广东广州 510650;

清远市富盈电子有限公司广东清远 511500;

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正文语种 chi
中图分类腐蚀的控制与防护;
关键词
类金刚石膜; 高功率脉冲磁控溅射; 偏压; 微观结构; 性能;

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