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王军; 成建波; 陈文彬; 杨刚; 蒋亚东; 蒋泉; 杨健君;
电子科技大学,光电信息学院,成都,610054;
薄膜; 氧化铟锡(ITO); 退火; 直流磁控溅射; 方阻;
机译:磁控溅射制备低压退火ITO / Au / ITO薄膜的表征
机译:CdCl 2 sub>气氛下的后退火对直流磁控溅射沉积ITO薄膜性能的影响
机译:CdCl_2气氛下的后退火对直流磁控溅射沉积ITO薄膜性能的影响
机译:在磁控溅射沉积的ITO膜上进行退火处理之前的预处理,从而提高LED芯片的发光效率
机译:通过热退火和溶剂退火处理嵌段共聚物在块状和薄膜中的自组装。
机译:快速热退火用于射频磁控溅射沉积的高质量ITO薄膜
机译:DC反应磁控溅射制备的HFN薄膜后退火处理的影响
机译:通过后顶电极退火处理增强铁电薄膜存储电容器的疲劳和保持力
机译:能够处理聚四氟乙烯带的触摸屏的ITO膜的退火设备和具有间隔的ITO膜的退火设备
机译:平面磁控溅射装置无效,用于ITO薄膜的形成
机译:ito和iton薄膜的沉积工艺,ito和iton薄膜及其用途
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