MOSFET/IGBT半桥驱动芯片IR2111的应用研究

机译：基于Si IGBT / SiC MOSFET混合开关的1200 V / 200半桥电源模块

机译：使用简单的电路（实验研究）设置MOSFET和IGBT - 门驱动器的能力和使用：3。多功能半桥驱动器

机译：通过简单的电路可靠地切换MOSFET和IGBT（实验研究）-栅极驱动器的能力和使用：3.多功能半桥驱动器

机译：具有单片集成二极管的IGBT将MOSFET替换为具有半桥拓扑的电子灯镇流器中的MOSFET

机译：开发基于物理的4H-SiC高压功率开关模型-MOSFET，IGBT和GTO。

机译：鉴定新的半桥粒蛋白HD1：分离的半桥粒的主要的高分子量组分

机译：六组件siC mOsFET和si IGBT模块的实验性能比较，以半桥配置并联用于高温应用

机译：用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估

机译：米勒容量降低的功率半导体组件，例如电流整流器，半桥和开关中的IGBT或MOSFET

机译：用于将n沟道MOSFET布置到半桥电路的半桥模块的布置，其支撑板包括接触表面，其中MOSFET的漏极端子施加在具有表面的板上并通过线连接

机译：降低基于功率MOSFET的电路中的换向噪声-使用三个半桥电路，每个半桥电路具有两对并联的MOSFET器件，并通过二极管耦合，用于三相逆变器功能