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含PbS量子点串联双隧道结I-V特性仿真

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摘要

对形成单电子器件的典型串联双隧道结结构模型,通过求解含时薛定谔方程,计算了PbS量子点自组装体系的隧穿电流与偏压的关系.给出了含PbS量子点串联双隧道结在室温下的I-V特性仿真数据,结果与实验符合得较好.

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来源
《微电子技术》 |2001年第6期|8-10|共3页
作者
周继承; 何红波; 李义兵;
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作者单位

中南大学计算科学与材料学研究所,;

中南大学计算科学与材料学研究所,;

中南大学计算科学与材料学研究所,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.2+5;
关键词
量子点; 串联双隧道结; 薛定谔方程; 隧穿;

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