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王永坤; 余建祖; 余雷; 陈大鹏;
北京航空航天大学,北京,100083;
中国科学院微电子中心,北京,100010;
X射线掩模; 掩模形变; 背面刻蚀; 有限元; 平面内形变; 非平面形变;
机译:移动掩模深X射线光刻的X射线光刻验证与开发仿真系统
机译:EBDW光刻中的AZ 5214E抗蚀剂及其在N 2 sub>等离子体中刻蚀薄Ag层时用作RIE刻蚀掩模
机译:抑制纳米级电子束诱导刻蚀的自然刻蚀:极端紫外光刻掩模的纳米级修复解决方案
机译:使用薄膜紫外光刻和X射线背面曝光在铍上制造用于UDXRL的大面积X射线掩模
机译:用于半球成像器的a-硅:氢TFT被动像素传感器的无掩模激光刻蚀光刻技术。
机译:X射线光刻掩模计量学:透射电子在SEM中用于线宽测量
机译:X射线光刻的验证和移动掩模深X射线光刻的开发仿真系统
机译:通过具有50nm线宽的X射线掩模的三电平电子束光刻制造,以及通过X射线纳米光刻复制
机译:使用提供关于通过光学光刻法转印到晶片的预定掩模图案的转印图案信息的仿真系统的仿真方法以及修改掩模图案的方法
机译:X射线掩模,X射线掩模的制造以及用于X射线光刻的设备和方法
机译:在光刻过程中将相对于辐照掩模的半导体调整为X射线
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