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王长安; 徐重阳;
华中理工大学固体电子学系;
非晶硅基薄膜; 等离子体刻蚀; 光发射谱检测;
机译:等离子体刻蚀中基于修正主成分分析的等离子体刻蚀中小面积暴露SiO_2薄膜的实时终点检测
机译:Langmuir探针与光发射光谱在可变磁场电子回旋共振化学气相沉积过程中的比较和综合研究,该过程用于沉积氢化非晶硅薄膜
机译:内源性氢和外源性氢对脉冲射频辉光放电光发射光谱法分析非晶硅薄膜的影响
机译:基谱温度对VHF-PECVD制备的非晶硅过渡材料性能的影响
机译:将光发射应用于离子迁移谱仪以检测环境压力和室温下的爆炸物。
机译:溅射沉积氟化钇薄膜的结构和氟等离子体刻蚀行为
机译:溶胶 - 凝胶沉积Er掺杂snO2薄膜的可见光发射溶胶 - 凝胶沉积Er掺杂snO2薄膜的可见光发射
机译:非晶硅的光发射
机译:通过光发射到等离子体刻蚀过程的终点检测的方法和设备
机译:等离子体刻蚀过程中光发射终点检测的方法和装置
机译:金属薄膜的等离子体刻蚀装置和金属薄膜的等离子体刻蚀方法
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