晶硅太阳电池氮化硅膜产生色差的影响因素研究

涂宏波; 马超; 王学林; 谢斌; 高林

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摘要

采用管式PECVD的方法对硅片进行氮化硅镀膜,通过分析PECVD镀膜原理,探索了硅片表面均一性、卡点的导电导热性、反应温度的均匀性以及电场均匀性对氮化硅膜色差的影响。结论表明,硅片表面微观结构差异较大会造成比表面积明显差异,从而使氮化硅薄膜厚度产生显著差异,表现出不同颜色。当导电导热性、反应温度的均匀性以及电场均匀性较差时,气体的反应速率差异较大,同一硅片不同区域的氮化硅膜层生长速率不同,膜层厚度也不同,即容易产生色差片。

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来源
《当代化工研究》 |2013年第5期|37-41|共5页
作者
涂宏波; 马超; 王学林; 谢斌; 高林;
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作者单位

浙江晶科能源有限公司;

长江大学化学与环境工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TM914.41;
关键词
太阳电池; 氮化硅; 色差; 石墨舟;

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