MEMS惯性器件低应力封装过渡层研究

段杰; 赵万良; 成宇翔; 杨浩; 慕蓉欣

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MEMS惯性器件低应力封装过渡层研究

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cqvip:封装应力是影响MEMS惯性器件输出性能的主要因素之一,封装应力是由于封装过程中封装对象间材料热特性不匹配所引起的。封装应力除了受封装对象本身的材料性能影响外,还与芯片及基底间的过渡层形式有关。不同的过渡层形式不仅会影响封装应力的峰值,还会对应力的分布情况产生影响。为了研究不同形式的过渡层对三层结构MEMS惯性器件芯片封装应力的影响,首先利用COMSOL有限元仿真分析软件简要地分析了不同材料参数对封装应力的影响,并进一步研究了常见封装形式以及不同封装结构的应力分布规律。结果表明,不同的粘接材料、封装形式和封装结构都会引起封装应力的变化。

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来源
《导航定位与授时》 |2020年第2期|145-154|共10页
作者
段杰; 赵万良; 成宇翔; 杨浩; 慕蓉欣;
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作者单位

上海航天控制技术研究所上海201109;

上海惯性工程技术研究中心上海201109;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类工艺设计;
关键词
封装应力; 过渡层; 有限元分析; MEMS惯性器件;

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