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张建军;
北京石油化工学院,机械工程学院,北京102617;
三维温度场分布; 陶瓷连接; 有限元计算; 热力耦合; 残余应力;
机译:粒子溶液生长法得到的4H-SiC晶体的残余应力分析
机译:用于MEMS的异质外延3C-SiC的高级残余应力分析和有限元模拟
机译:TiC或Ni作为粘结剂时SiC_f / Cu复合材料的热残余应力分析
机译:Zrb_2-SiC和TC4-TIB_W与自增韧SIC中间层的钎焊接头中的残余应力
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:不同热场条件下Ni-al2O3,Ni-TiO2和Ti-siC功能梯度复合板的热残余应力分析
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:P SiC SiC MOSFET用P掺杂粉末制造SiC MOSFET的方法和用该方法制造的SiC MOSFET
机译:SiC MOSFET的SiC MOSFET的制造方法,包括热处理以增强柱状结构的结晶度,并且使用该方法制造的SiC MOSFET
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