高速850 nm VCSEL量子阱结构优化设计

林峰

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该文结合PICS3D软件模拟,以1λ腔长、5对InGaAs/AlGaAs量子阱为基础,优化了有源区阱层的厚度、组分以及谐振腔腔长。模拟结果表明:随着量子阱个数的增加,微分电阻和阈值电流增大,弛豫振荡频率降低,阻尼因子变小;随着阱层In组分的增加,阈值电流变小,弛豫振荡频率和阻尼因子增大;腔长缩短为1/2λ,弛豫振荡频率增大,同时由于传输因子变小,阻尼因子不会限制调制响应带宽;在1/2λ腔中Al_(0.90)Ga_(0.10)As掺杂,可以使微分电阻变小。优化后的单氧化层VCSEL最大电光转换效率为42.3%,调制响应-3 dB带宽为25 GHz。

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来源
《中国新技术新产品》 |2022年第18期|31-33|共3页
作者
林峰;
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作者单位

厦门市三安集成电路有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光器;
关键词
垂直腔面发射激光器; 分布布拉格反射镜; 量子阱; 谐振腔;

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