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大剂量P＋离子注入单晶硅的研究

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采用４８０ｋｅＶＰ＾＋离子注入单晶硅，注入剂量为１×１０＾１６ｃｍ＾－２。采用ＲＢＳ、ＴＥＭ技术测试样品，发现样品经６００℃退火后，距样品表面约２４０ｎｍ处有一条低密度缺陷带。研究表明，这一现象与Ｐ＾＋的剂量及退火温度有关。

著录项

来源
《核技术》 |1994年第2期|65-68|共4页
作者
高剑侠; 朱德彰;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类掺杂;
关键词
退火; 缺陷; 离子注入; 单晶硅; 硼离子;

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