在Ti：Al薄膜中的离子束混合研究

吴美珍; 寿焕根

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用100keVAr^+离子在低温下对TI:Al薄膜进行了离子束混合研究。实验试样是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝腹,相继再蒸上所需不同厚度的钛膜,Ar^+离子注入剂量为1.2×10^(16)—1.4×10^(17)Ar^+/cm^2。用2.0MeVa粒子对注入前后的样品进行了背散射(RBS)分析。发现铝谱前沿和钛谱后沿有明显的展宽,且随剂量的增大而加宽,Ti:Al界面原子混合扩展量的平方(σ~2)与注入剂量(φ)成线性关系;在相同注入条件下,σ~2随钛膜厚度的变化有一定的规律;界面的氧化层对原子混合有一定影响;用蒙特卡罗法进行了模拟计算,并对实验结果进行了讨论。

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来源
《核技术》 |1990年第4期|198-202|共5页
作者
吴美珍; 寿焕根;
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作者单位

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
离子束; 混合; Ti：Al薄膜;

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