用纳米晶材料制作光电子器件的研究

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硅纳米晶材料最有希望用于制作有源器件，如调制器、光放大器和发光二极管等。人们观测到纳米晶中发光的蓝移与晶体尺寸成正比，其发光效率通常比体材料的发光效率要高。但是，硅的间接带隙所产生的难以克服的余辉将导致相当长的辐射复合寿命（μs数量级），这将限制硅纳米晶光电子器件的发光亮度和发光效率。如果采用等离子激元增强光发射机理提高硅纳米晶的辐射发射速率，则可将硅量子点材料视为能取代直接带隙化合物半导体材料的光学材料。

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来源
《光机电信息》 |2006年第3期|36-38|共3页
作者
芳芳;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
纳米晶材料; 光电子器件; 制作; 化合物半导体材料; 硅纳米晶; 发光二极管; 发光效率; 等离子激元; 量子点材料; 有源器件;

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