0.1μm器件以后的SR缩小光刻

首页> 中文期刊> 《光机电信息》 >0.1μm器件以后的SR缩小光刻

0.1μm器件以后的SR缩小光刻

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

极紫外曝光(EUVL)从原理上说与紫外缩小光刻是一样的,其特点是代替折射透镜,使用了反射镜一面镀有软X射线范围具有较高反射率的多层膜的反射缩小光学系统。掩模可用放大4—5倍的掩模,并且该掩膜上用多层膜形成的大块基板,因此可以忽略SR照射引起的热变形,确保较高的图形形成精度。从理论上来说,可以通过短波长和高NA使分辨率达到无限小,有可能获得0.1～0.01μm的线宽。

著录项

来源
《光机电信息》 |1999年第8期|31-32|共2页
作者

展开▼
作者单位

无;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类洗印技术;
关键词
极紫外曝光; 软X射线; 紫外缩小光刻; 多层膜;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. SrSn0.1Fe0.1Co0.8O3-δ和Ba0.1Sr0.9Sn0.1Fe0.1Co0.8O3-δ膜的氧渗透性能 [J] . 郑翠红 ,刘卫 ,邓增强 . 应用化学 . 2003,第011期
2. 0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用 [J] . 叶甜春 ,谢常青 ,李兵 . 功能材料与器件学报 . 2000,第3期
3. SrCo0.8Fe0.2O3-δ及SrCo0.8Fe0.1Sn0.1O3-δ的热学与透氧性能研究 [J] . 樊传刚 ,刘卫 ,左艳波 . 无机材料学报 . 2006,第005期
4. YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜厚度在多层异质结构(Ag/Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3/YBa_2Cu_3O_(7-δ)/LaAlO_3)中对Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3介电性能的影响研究 [J] . 雍俐培 ,朱小红 ,王奉波 . 低温物理学报 . 2005,第A01期
5. 0.1 μm线宽主流光刻设备——193 nm(ArF)准分子激光光刻 [J] . 陈兴俊 ,胡松 ,姚汉民 . 电子工业专用设备 . 2002,第001期
6. 0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用 [C] . . 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 . 2000
7. 微观结构对Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7基器件的电阻开关特性以及磁性的影响 [A] . 孙宇辰 . 2015

0.1μm器件以后的SR缩小光刻

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅