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日本极紫外光刻

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1.引言由于在过去的几年里人们在极紫外光刻技术发展方面做出了巨大努力,使用极紫外光刻制作0.1μm分辨率的器件的可行性已令人信服地得到证实。人们对今后八年时间内即2004年前制作出0.1μm线宽的指标充满信心。这种线宽要求能够制作出分辨率为0.1μm的图案,并且具有高产量的样机系统。

著录项

来源
《光机电信息》 |1997年第6期|13-15|共3页
作者
林景全;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类光刻、掩膜;
关键词
日本; 极紫外光刻; 光刻; 半导体器件;

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