ZrTe5的太赫兹辐射研究

卢文晖; 夏宇; 王锋; 吕海慧; 刘峥; 李敏

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ZrTe5的太赫兹辐射研究

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为了研究层状ZrTe5(五碲化锆)在飞秒脉冲激发下的超快瞬态太赫兹辐射,利用太赫兹时域反射系统对其进行了测试分析.通过分析层状ZrTe5太赫兹电场幅度与飞秒激光泵浦功率及泵浦脉冲偏振关系,获得了层状ZrTe5产生太赫兹辐射的主要机理.同时还对比了相同泵浦条件下层状ZrTe5和本征GaAs(砷化镓)太赫兹辐射强度.研究表明,层状ZrTe5具有带隙结构窄、吸收深度浅、光生电子剩余能量较大、载流子迁移率较高等优势,在太赫兹产生方面比传统半导体具有更好的性能.该研究可为发现高效、高度集成化太赫兹辐射源提供参考.

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来源
《光学仪器》 |2021年第6期|52-57|共6页
作者
卢文晖; 夏宇; 王锋; 吕海慧; 刘峥; 李敏;
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作者单位

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光谱测量;
关键词
光谱学; 太赫兹辐射; photo-Dember效应; 层状五碲化锆(ZrTe5);

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