光学邻近效应与掩模特征尺寸的关系

机译：基于光学邻近效应校正的受限光学邻近效应校正模式生成-基于模型的光学邻近效应校正中的可制造性规则设计

机译：Selete的EULE掩模掩模缺陷减少技术扩展到EUVL掩模的光掩模缺陷检查和修复技术即使掩模尺寸为100 nm，也可以实现高精度的检查图像对比度

机译：通过10nm节点工艺的混合光学邻近效应校正建模和收缩校正技术提高光学邻近效应校正模型的准确性

机译：完全基于模型的方法论，可同时通过改进的图案转移保真度和工艺窗口来校正EUV掩模的阴影和光学邻近效应

机译：空间光调制器，用于相干通信，自适应光学和无掩模光学光刻中。

机译：基于一步法无掩模灰度光刻的具有任意表面轮廓的微光学元件的制备

机译：I.邻近效应桥中零电压时的相电流关系。 II。邻近效应桥与超导微带谐振器的相互作用

机译：纳米尺寸铁和硫化钼簇的光学特征

机译：半导体制造过程中的光学邻近效应校正方法和掩模数据形成方法，即使在设计图案的尺寸和形状以及设计图案之间的空间宽度和位置关系的各种情况下，也可以充分地校正光学邻近效应。

机译：半导体制造过程中的光学邻近效应校正方法和掩模数据形成方法，即使在设计图案的尺寸和形状以及设计图案之间的空间宽度和位置关系的各种情况下，也可以充分地校正光学邻近效应。

机译：光学邻近效应校正方法和装置，光学邻近效应验证方法和装置，曝光掩模的制造方法，进一步的光学邻近效应校正程序和光学邻近效应验证程序