直径52～65mm探测器级Si单晶的真空制备

蒋娜; 万金平

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直径52～65mm探测器级Si单晶的真空制备

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为了制备纯度11N以上、直径φ大于45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径超高纯单晶Si材料，本文在真空气氛下提纯并生长垂52～65mm探测器级区熔（FZ，float zone）Si单晶，并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高断面电阻率不均匀率和漩涡缺陷等问题的产生原因和解决方式进行了深入研究。结果表明，丹麦加热线圈表面带有台阶和十字开口，是提纯和生长φ大于45mm多晶Si和单晶Si的理想线圈；适当提高单晶转速和生长速度有利于降低断面电阻率不均匀率，且提高转速的效果更加明显；真空气氛下，提高热场对中性可抑制漩涡缺陷的产生，其对漩涡缺陷的影响比单晶Si生长速度更加显著，这是与Ar气气氛FZ不同的；多晶Si提纯次数越多单晶Si寿命越低，降低多晶Si原料中的P／B和重金属原始含量有利于提高单晶2Si寿命；若要制备少子寿命大于800μs，符合探测器级标准的φ52～65mm Si单晶，多晶Si原料少子寿命应大于3000μs。

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来源
《光电子．激光》 |2013年第12期|2301-2307|共7页
作者
蒋娜; 万金平;
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作者单位

峨嵋半导体材料研究所;

四川乐山614200;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类无机质材料;
关键词
区熔(FZ); 真空; 大直径; 探测器级; Si单晶; 断面电阻率不均匀率; 漩涡缺陷;

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