GaAs半导体表面的S-N混合等离子体钝化及在激光器工艺上的应用

许留洋; 高欣; 袁绪泽; 夏晓宇; 曹曦文; 乔忠良; 薄报学

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利用射频(RF)等离子方法,对GaAs半导体表面进行了S-N混合等离子体钝化实验,并对工作压强、RF功率进行了优化。光致发光(PL)测试结果表明,经过S-N混合等离子体钝化的GaAs样品PL强度提高135%。将本文钝化方法应用到980nm波长InGaAs应变量子阱(QW)激光器的制备工艺,器件的COD阈值功率明显增加。

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来源
《光电子．激光》 |2017年第2期|143-146|共4页
作者
许留洋; 高欣; 袁绪泽; 夏晓宇; 曹曦文; 乔忠良; 薄报学;
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作者单位

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;

吉林长春130022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
GaAs; COD; 光致发光(PL); 钝化;

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