GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究

王新中; 于广辉; 李世国

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GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究

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研究了纳米掩膜在材料外延生长及器件制备中的应用。通过电化学腐蚀和电子束蒸发方法在GaN表面生成Ni和SiO2纳米点阵列,经过等离子体刻蚀在Ni/GaN模板上形成GaN纳米锥形结构;利用氢化物气相外延(HVPE)方法,在SiO2/GaN模板上制备厚膜GaN材料。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱测试表明,SiO2纳米点阵能有效阻挡衬底中位错往上延伸,大大降低外延层中位错密度,并有利于厚膜GaN中应力释放。

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来源
《光电子．激光》 |2011年第4期|487-490|共4页
作者
王新中; 于广辉; 李世国;
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作者单位

深圳信息职业技术学院;

广东深圳518029;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

上海200050;

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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
GaN; 阳极Al2O3(AAO); 纳米点阵; 氢化物气相外延(HVPE);

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