RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池

曹宇; 张建军; 李天微; 黄振华; 马俊; 杨旭; 倪牮; 耿新华; 赵颖

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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响。结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长;而当衬底温度过高时,μc-SiGe:H薄膜的O含量和微结构因子较大。在衬底温度为200℃时,获得了光电特性和结构特性较优的高Ge含量μc-SiGe:H薄膜。将优化好的μc-SiGe:H薄膜应用到电池中,在本征层为600nm的情况下,获得了转换效率为3.31%(Jsc=22.5mA/cm2,Voc=0.32V,FF=0.46)的单结μc-SiGe:H电池,电池在1 100nm处的光谱响应达5.49%。

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来源
《光电子．激光》 |2013年第5期|924-929|共6页
作者
曹宇; 张建军; 李天微; 黄振华; 马俊; 杨旭; 倪牮; 耿新华; 赵颖;
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作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室;

天津300071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
微晶Si-Ge(μc-SiGe; H); 衬底温度; 太阳电池;

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