InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究

刘安平; 段利华; 周勇

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InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究

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采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高了应变QW质量。生长的QW结构用于1054 nm激光器的制作,经测试,器件具有较低的阈值电流和较高的单面斜率效率,性能较好。

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来源
《光电子．激光》 |2010年第2期|163-165|共3页
作者
刘安平; 段利华; 周勇;
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作者单位

重庆大学应用物理系;

重庆400030;

重庆光电研究所;

重庆400060;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
金属有机物化学气相淀积(MOCVD); InGaAs/GaAs量子阱(QW); 应变缓冲层(SBL);

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