基于低温In_xGa_(1-x)P组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延

刘红兵; 王琦; 任晓敏; 黄永清

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采用低温GaAs与低温组分渐变InxGa1-xP作为缓冲层,利用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,在GaAs(001)衬底上进行了InP/GaAs异质外延实验。实验中,InxGa1-xP缓冲层选用组分线性渐变生长模式(xIn0.49→1)。通过对InP/GaAs异质外延样品进行双晶X射线衍射(DCXRD)测试,并比较1.2μm厚InP外延层(004)晶面ω扫描及ω-2θ扫描的半高全宽(FWHM),确定了InxGa1-xP组分渐变缓冲层的最佳生长温度为450℃、渐变时间为500s。由透射电子显微镜(TEM)测试可知,InxGa1-xP组分渐变缓冲层的生长厚度约为250nm。在最佳生长条件下的InP/GaAs外延层中插入生长厚度为48nm的In0.53Ga0.47As,并对所得样品进行了室温光致发光(PL)谱测试,测试结果表明,中心波长为1643nm,FWHM为60meV。

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来源
《光电子．激光》 |2009年第7期|893-896|共4页
作者
刘红兵; 王琦; 任晓敏; 黄永清;
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作者单位

北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室;

北京100876;

东华理工大学核工程技术学院;

江西344000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
InP/GaAs异质外延; 低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD); InxGa1-xP; 组分渐变缓冲层;

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