GaN薄膜电子声成像和电子背散射衍射研究

邢艳辉; 李影智; 韩军; 邓旭光; 吉元; 徐晨; 沈光地

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GaN薄膜电子声成像和电子背散射衍射研究

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采用扫描电声显微镜(SEAM)和电子背散射衍射(EBSD)对异质外延在Al2O3衬底上GaN界面区域成像测试分析。异质外延失配应力导致在Al2O3和GaN界面附近的微区晶格畸变在SEAM的声成像中可以清楚看到,而且受应力影响集中区域的微区衬度差异明显。利用EBSD色带图及质量参数分析了失配应力变化,晶格应变和弹性形变在200nm内可以得到释放。

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来源
《光电子．激光》 |2012年第10期|1909-1912|共4页
作者
邢艳辉; 李影智; 韩军; 邓旭光; 吉元; 徐晨; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室;

北京100124;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类射线衍射分析;电子光学仪器;
关键词
GaN; 扫描电声显微镜(SEAM); 电子背散射衍射(EBSD); 扫描电子显微镜(SEM);

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