Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响

丁亮; 李建军; 康玉柱; 于晓东; 邓军; 韩军; 沈光地

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Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响

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利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD),对红光发光二极管(LED)的窗口层掺杂进行研究。分别在Ⅴ/Ⅲ比为13、26和52的情况下生长GaP材料,结果发现,Ⅴ/Ⅲ比影响Mg的掺杂浓度和载流子迁移率。在上述Ⅴ/Ⅲ比下生长的GaP,外延生长出红光LED外延片并制备器件,结果发现,生长GaP层时,Ⅴ/Ⅲ比为52的红光LED与Ⅴ/Ⅲ比为13相比,输出光功率提高了23.7%,轴向光强提高了20.4%。

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来源
《光电子．激光》 |2009年第7期|867-869|共3页
作者
丁亮; 李建军; 康玉柱; 于晓东; 邓军; 韩军; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学电子信息和控制工程学院;

北京市光电子技术实验室;

北京100022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312.8;
关键词
红光发光二极管(LED); 金属有机物化学气相沉积(MOCVD); GaP; Ⅴ/Ⅲ比;

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