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光电子材料InP与金属接触的物理特性研究

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本文讨论了ＩｎＰ与金属接触时的电荷输运方式，给出了ｎ型ＩｎＰ材料掺杂浓度为（１×１０＾１５－１×１０＾１７）ｃｍ＾－３时，电子输运的数学表达式；测量了国产ＩｎＰ单晶与一些金属的接触势垒；分析了“金属－ｎ＾＋－ＩｎＰ”结构，和到了ｎ＾＋区厚度和势垒高度间的关系。

著录项

来源
《光电子．激光》 |1998年第1期|68-70|共3页
作者
徐建成; 陈定钦;
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作者单位

首都师范大学物理系;

首都师范大学物理系;

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正文语种 CHI
中图分类装架;
关键词
欧姆接触; 金属势; 光电子材料;

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