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MOCVD生长的CdZnTe／ZnTe多量子阱的激子光学特性

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用常压ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱。在室温下，观测到了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的三个谱带发光。

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来源
《光电子．激光》 |1996年第4期|202-204|共3页
作者
栗红玉; 申德振;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类激光物理和基本理论;
关键词
激光光学; 多量子阱; MOCVD; 生长;

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