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InP微波光电器件的物理特性

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本文对InP微波光电器件的物理特性进行了研究。具体分析了InP材料中产生微分负迁移率的条件。介绍了InP材料的速度场特性,计算了InP体效应器件理论上可获得的最大效率,对在InP器件中形成稳定畴的条件进行了详细的数学分析。

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来源
《光电子．激光》 |1992年第2期|116-121|共6页
作者
夏瑞东; 陈定钦;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体光电器件;
关键词
磷化铟器件; 微波; 光电器件; InP材料;

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