二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用

张发荣; 张晓丹; Amanatides E; Matras D; 赵颖

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二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用

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建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实际高速沉积μc-Si:H薄膜的反应腔室建立的。模型是自适应的,建立在玻尔兹曼方程和泊松方程基础之上,包含87个气相反应和25个表面反应。将模拟沉积速率与相同实验条件下的结果相比较,结果发现,模型在微晶区域运行结果与实验结果吻合得很好。

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来源
《光电子．激光》 |2008年第2期|208-212|共5页
作者
张发荣; 张晓丹; Amanatides E; Matras D; 赵颖;
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作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;

光电信息技术科学教育部重点实验室;

天津300071;

希腊帕特雷大学等离子体技术实验室;

帕特雷26500;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCD); 微晶硅; 二维流体模型;

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