掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析

刘静; 高勇

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掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析

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深入研究了掺碳SiGe(SiGeC)功率二极管的反向阻断特性,给出了详细的机理分析.与同结构SiGe二极管相比,SiGeC二极管的热稳定性显著提高,反向漏电流明显减小,击穿电压也有所增加,且随着温度的升高,其优势更加明显.与少子寿命控制技术相比,该SiGeC/Si异质结二极管有效协调了降低通态电压、减小反向漏电流、缩短反向恢复时间3者之间的矛盾.其较好的热稳定性降低了对器件后续制作工艺的限制,而且无需采用寿命控制技术,在制作过程中可调节Ge,C含量来对异质结能带结构进行剪裁,折中优化器件性能,给器件设计提供了更大的自由度.

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来源
《电力电子技术》 |2008年第12期|42-45|共4页
作者
刘静; 高勇;
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作者单位

西安理工大学,陕西,西安,710048;

西安理工大学,陕西,西安,710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类二极管：按作用分;
关键词
半导体二极管; 模拟/阻断特性; 寿命控制;

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