国内首款6500V IGBT芯片研制取得突破性成果

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世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）通力合作，开发的6500VTrenchFSIGBT（沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

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来源
《电力电子》 |2011年第5期|P.4-4|共1页
作者

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不详;

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正文语种 CHI
中图分类结构、器件;
关键词
功率IGBT; 上海华虹NEC电子有限公司; 国内; 芯片; 突破性; 绝缘栅双极晶体管; 制取; 合作伙伴;

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