最新技术的穿通(PT)型IGBT与功率MOSFET的比较

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

比较了最新一代穿通型绝缘栅双极型晶体管(简称PT IGBTs)和功率MOS 7的开关特性和通态损耗特性;简述了PT IGBT的结构。由于独特的条状结构和功率MOSFET的金属门极,使得穿通型IGB了和功率MOSFETs器件在特性上有一些不同。在很多情况下,尤其是在桥式电路中,这类IGBT能提供更低成本和更出色的性能,从而替代了高压功率MOSFET。

著录项

来源
《电力电子》 |2003年第z1期||共6页
作者
J.道吉; T.罗德;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
功率半导体器件; 绝缘栅晶体管; 金属-氧化物-半导体场效应晶体管;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 穿通(PT)型和非穿通(NPT)型IGBT中准饱和效应的解析化分析 [J] . S.彼泰特 ,A.鲁弗 . 电力电子 . 2003,第0Z1期
2. 最新技术的PTIGBT和功率MOS的比较 [J] . J．道奇 ,J．莫里森 . 电力电子 . 2004,第003期
3. 采用非穿通型或穿通型IGBT器件的PWM-VSI型逆变器的功率损耗 [J] . F.Blaabjerg ,李云浩 . 大功率变流技术 . 1996,第002期
4. IGBT的NPT与PT工艺技术比较及西门子NPT-IGBT模块的新封装概念 [J] . . 世界电子元器件 . 1997,第001期
5. 内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较 [J] . 游雪兰 ,吴郁 ,胡冬青 . 电子器件 . 2009,第003期
6. 具有低损耗、宽安全工作区的1700V平面栅软穿通IGBT [C] . 刘国友 . 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 . 2014
7. SPT薄穿通IGBT的设计 [A] . 方伟 . 2011

最新技术的穿通(PT)型IGBT与功率MOSFET的比较

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅