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一种带隙基准源设计研究

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摘要

带隙基准源在各种芯片中应用广泛,很多电子系能的性能直接受基准源的影响.论文提出一种采用电阻修整的带隙基准源的设计方法,通过修整来调节基准源由于受工艺等因素影响而产生的偏差,仿真结果表明,在-50℃到130℃的温度范围,基准源的电压偏差为2mV.

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来源
《科技信息》 |2012年第1期|232191|共2页
作者
刘志国; 戴澜;
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作者单位

北京航星机器制造公司中国北京100013;

北方工业大学信息学院微电子系中国北京100144;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
带隙基准; 温度系数; 电源抑制比;

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