MOCVD生长高质量InGaN/AlGaN MQW紫光LED的研究

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• 来源
  《科技视界》 |2018年第13期|177-178|共2页
• 作者

  唐健江; 刘波波; 杨建锋; 白俊春;

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• 作者单位

  西安航空学院材料工程学院,陕西 西安 710077;

  西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西 西安 710049;

  西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西 西安 710049;

  西安中为光电科技有限公司,陕西 西安 710003;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 发光器件;薄膜的性质;
• 关键词

  InGaN/AlGaN; 多量子阱; 紫光LED; MOCVD;