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大功率IGBT MOSFET 电池技术 充电模块 新能源汽车 功率开关器件 业内人士 发展趋势;
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:超结IGBT填补了SJ MOSFET和超快IGBT之间的空白
机译:在窄电流脉冲条件下评估15-kV SiC MOSFET和20-kV SiC IGBT的长期可靠性和过流能力
机译:基于6.5kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC MOSFET / SiC-JBS二极管的大功率中压转换器的设计比较
机译:适用于大功率MOSFET和IGBT的智能栅极驱动器。
机译:微摩尔的4-氨基吡啶增强了脊椎动物神经分泌末端植物的侵袭:使用超快光电二极管-MOSFET摄像机和光电二极管阵列对动作电位的传播进行光学记录
机译:低速和轻载下基于Sic-mosfet和Si-igbts的电动汽车牵引系统的综合比较
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:半导体组件MOSFET,IGBT或双极晶体管或二极管;具有超区结(SJ)和漂移层作为pn平行层,在导通状态下导电,在截止状态下耗尽
机译:三相转换器同时打开电源开关的MOSFET和IGBT并以相对于IGBT的延迟关闭MOSFET
机译:MOS半导体元件用于功率MOSFET,IGBT等-具有半导体层,在该半导体层的表面中选择性地形成具有相反导电性的区域
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