半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现

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中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有独特的电子结构,在体内能带存在能隙,表现出绝缘体的行为;表面或边界的能带是线性的无能隙的Dirac锥能谱,

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来源
《集成电路应用》 |2014年第3期|23-23|共1页
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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
极化电荷; 半导体材料; 凝聚态物理; 第一性原理计算; 能隙; 电子结构; 前沿热点问题; 器件应用; 常凯; Di;

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